技术编号：6905738
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光器件，特别适用于获得真空紫外发光二极管和激光器， 属于光源领域。背景技术ZnO是一种新型环保的直接宽带隙半导体材料，室温下带隙为3.37eV，激 子结合能高达60meV，是一种非常优良的真空紫外发射材料。与其他材料宽带 隙材料相比，化学和热稳定性好，且原料易得，电子诱生缺陷较低，成膜性强 和薄膜的外延生长温度较低，这些都有利于制作高性能的紫外发射器和探测器。 虽然ZnO在光泵浦的情况下，已经观察和探测到它的真空紫外发射，但在电驱 动下，Z...
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