技术编号:6906565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体集成电路器件的技术。更具体地说,本发明涉及一种有效地适用于制造一种具有多金属结构的MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)的半导体集成电路器件的技术,其中各栅电极由多晶硅和耐熔金属的叠层组成。背景技术 Japanese Unexamined Patent Publication No.Hei 11(1999)-31666公开了一种用于形成多金属结构的MISFET的改进技术。该出版物公开了一种技术,其中使钨表面上形成的天然氧化物一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。