技术编号：6906572
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及以阻挡层构成内部连接(interconnection)结构的半导体装置。本发明特别适用于具有深亚微米领域(deep sub-micron regime)特征的超大规模集成电路(ULSI)装置。背景技术 当集成电路的几何结构不断向深亚微米领域发展时，集成技术在数量及严格性上所面临的问题也随之增加。由于狭细导线间距离的最小化，使得超大规模集成电路半导体的布线需要越来越密集的配置。当采用约在0.13微米及以下的设计标准时，制造半导体装置的方法即成为问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。