技术编号:6907589
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及存储器件,更具体讲,涉及铁电存储器件。背景技术 铁电随机存取存储器(FRAM,Ferroelectric Random Access Memory)器件一般包括具有电介质的存储电容,电介质包括铁电材料,如锆酸铅与钛酸铅((lead zirconate and titanate)的化合物。用于FRAM的单元结构包括使用一个晶体管和一个电容的结构(称为“1TC”单元结构);以及使用两个晶体管和两个电容的结构(称为“2TC”单元结构)。在美国专利N...
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