技术编号:6908837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器的制造方法,且特别是关于一种去除字线之间多晶硅(polysilicon)残留的方法。另外有一种非挥发性存储器称作闪存(flash memory),其结构和EEPROM类似,但其存储胞抹除机构和EEPROM不尽相同,因此体积要比EEPROM小得多。同时其数据的擦除时间约为1或2秒,也比EPROM用紫外光照射的大约20分钟要快得多。由于价格因素,闪存大部分应用在较小型的电子产品如笔记本型计算机和个人数字助理等,同时也可用于例如计算机中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。