技术编号：6910326
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的领域本发明涉及用于例如电路结构的钝化或介电层。背景介电层或膜在电路结构中用于不同器件之间和在例如存在于许多集成电路结构的多级互连体系中用于不同级导体之间的电绝缘。例如，微处理器可在基材如半导体基材上具有5个或更多级的互连。在多级互连体系或结构中，各介电层或膜之间可以存在明显差异。例如，预金属介电(PMD)层或膜通常在基材或器件基底(如，在其中和/或其上包含活性器件的基材)、或其它的局部互连级材料、和第一互连级(如，金属1)之间使用。PMD层或膜通常...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。