技术编号:6910455
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的涉及制造具有金属栅极图形的半导体器件的方法,并尤其涉及一种包括选择性氧化(selective oxidation)以减少由干蚀刻对金属栅极图形造成的损伤的制造半导体的方法。背景技术 由于对增大半导体器件集成密度的持续兴趣,用于形成这种半导体器件的各种结构元件如电容器和栅极电极的尺寸也趋于减小。因为集成度的增大,已经将低电阻的材料用于减小信号延迟。例如,把采用低电阻金属材料的金属栅极用于降低栅极的片电阻和降低栅极叠的高度。这些研究带来了结合钨/氮化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。