技术编号：6911253
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及异质结双极晶体管。特别涉及形成异质结双极晶体管的硅-锗基区的方法。晶体管可用作电子电路中的放大或开关器件。在第一种应用中，晶体管用于放大小ac信号，在第二种应用中，小电流用于在“导通”态和“截止”态间转换晶体管。双极晶体管是一种具有两个非常接近的p-n结的电子器件。双极晶体管具有三个器件区发射区，集电区和位于发射区和集电区之间的基区。理论上，两个p-n结(发射结和集电结)处于由特定距离隔开的一层半导体材料中。通过改变结附近的偏置调制一个p-n结中...
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