技术编号：6911327
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造，特别涉及一种半导体器件制作设备。背景技术半导体制作的主要工艺就是在晶圓内制作若干MOSFET晶体管，而栅介 质层是MOSFET晶体管制作工艺中最重要的工艺之一，直接决定了晶体管的 性能。因此在集成电路制造业中对栅介质层的质量要求很高，例如要求具有 比较薄的栅介质层，而且要求栅介质层的厚度均匀分布。目前栅介质层的制 作方法很多，比如申请号为200610001049.4的中国专利申请给出的栅介质层的 制作方法，目的即在于控制栅介质层的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。