技术编号:6912475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高密度非挥发性内存的制作方法,特别涉及一种沟道式编码植入(trench code implant)的罩幕式只读存储器(Mask ROM)的制作方法,可以提高编码植入的控制(window control)。请参考附图说明图1A,其显示公知沟道式编码的罩幕式只读存储器的视图。一个罩幕式只读存储器组件包含有多个数组的记忆单元C,由垂直相交的埋藏位线BL以及字符线WL所构成,其中一个记忆单元C的区域由两条位线BL1、BL2以及一条字符线WL所定义形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。