技术编号：6912832
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力半导体器件，特别是涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)，可在电力变换用换流器装置(电力变换装置)等内使用。背景技术 响应近些年来对在电力电子领域内的电源设备的小型化、高性能化的要求，在电力半导体器件中，与高耐压化、大电流化一起，人们不断努力进行对低损耗化、高破坏耐量化和高速化的性能改善。因此，作为具有300V左右以上的耐压且可高电流化的电力半导体器件，可以使用电力IGBT。电力IGBT，人们熟知具有绝缘栅极，例如具有MOS栅极，把MOS栅极设置成...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。