技术编号:6912840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体装置的制造工序中使用的、通过化学机械研磨法使堆积膜平坦化的方法,特别是涉及一种在多层布线工序中形成嵌入式布线的方法或在元件分离工序中形成元件分离区域的方法。首先,如附图说明图11(a)所示,在由堆积在半导体衬底1上的二氧化硅构成的层间绝缘膜2的上面,使用光蚀技术和干腐蚀技术形成布线沟3之后,如图11(b)所示,在包括布线沟3的内表面在内的层间绝缘膜2的表面上形成遍及全部表面的、例如由氮化钽膜构成的阻挡金属层4。因为担心构成铜布线的铜容...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。