技术编号：6912854
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法，更具体地，涉及包含蚀刻工艺的半导体器件制造方法，这种蚀刻工艺使用加氢的(hydrogenated)碳化硅膜作为硬掩模或蚀刻阻止膜。背景技术 下面对形成布线图案的传统方法进行简要说明。在半导体衬底上的中间层绝缘膜上淀积铝(Al)膜或钨(W)膜并构图，以形成布线图案。通过使用碱性化学物质去除位于布线图案的侧壁上的淀积物。然后，通过等离子体增强化学气相淀积，淀积覆盖布线图案的中间层绝缘膜。近年来，半导体集成电路器件的高度集成化使得...
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