技术编号：6914609
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储元件的制造方法，特别是一种快闪存储器的制造方法，具有高耦合率面增加程序化(programming)及擦除的效率。附图说明图1是传统的快闪存储器的结构剖面示意图。标号100表示为一半导体基底，标号102表示为隔离层，标号104表示为掺杂区，标号106及110分别表示为隧穿介电层及栅极间介电层，标号108及112分别表示为浮动栅极及控制栅极，标号Y及X分别表示为浮动栅极108的上及下表面积的宽度。随着存储装置尺寸缩小化，浮动栅极的表面积也会随...
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