技术编号：6914994
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及，尤其涉及包括非易失性半导体存储器件和使用多个电源电压的半导体集成电路以及生产这样的半导体集成器件的方法。闪存器件为非易失性半导体存储器件，它以电荷的形式将信息存储在浮栅电极中。闪存器件，它具有简单器件配置，适合于形成大规模集成电路器件。在闪存器件中，凭借Fowler-Nordheim型隧道效应从浮栅电极穿过隧道绝缘膜将热载流子注入和取出，将信息写入或擦除。由于需要高电压产生这样的热载流子，因此闪存器件具有电压升高控制电路，它升高提供在它周围...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。