技术编号:6914999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高耐压半导体器件。附图说明图12所示的绝缘栅型晶体管包括P型半导体衬底1,形成在半导体衬底1内的包括低浓度N型杂质的漏极偏置(off set)扩散区2,埋入在漏极偏置扩散区2内的包括P型杂质的低浓度埋入扩散区3,位于漏极偏置扩散区2内的包括高浓度N型杂质的漏极扩散区4,形成在半导体衬底1内的包括高浓度N型杂质的源极扩散区5,以及包括高浓度P型杂质的接触用扩散区19。低浓度埋入扩散区3,具有给漏极印加高电压时促进漏极偏置扩散区2的耗尽化的功能。...
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