技术编号:6915547
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种III族类氮化物半导体器件,更具体地说,是涉及在III族类氮化物半导体器件的半导体和金属电极之间的电接触性能的一种改进。本领域技术人员都知道,在p型半导体/金属边界上的电荷迁移基本上依赖于该半导体的价带和该金属的费米能级之间的能量差。依赖该能量差,形成欧姆接触或肖特基接触。目前,尚没有为p型氮化物半导体充分减小肖特基势垒的金属,通过简单地选择最佳电极金属并不能获得该接触性能的进一步改善。为了改善电极和半导体之间的电接触性能,常规的方法是采用具...
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