技术编号:6915815
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种只读存储器及其制造方法,而且特别有关于一种。在非挥发性氮化硅只读存储器(NROM)的制造过程中所使用的电浆会使得电荷沿着金属移动,发生所泛称的天线效应(AntennaEffect),当瞬间的电荷不平衡,将使得电荷被打入氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)层之中造成程序化的现象(Programming Effect),进而导致启始电压(Threshold Voltage)过高的问题。一般启始电压的分布由0.3V~0.9V,其差异甚大。公知解决天...
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