技术编号:6916010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法,尤其涉及一种,其将缺陷的产生减至最小。背景技术 如众所周知的那样,在利用传统白光LED制造紫外线发光二极管(UV-LED)时,衬底的高缺陷密度降低了LED的光学效率。通常,当在蓝宝石衬底上生长GaN系化合物半导体时,因点阵失配而出现螺位错(threadingdislocation),并且贯穿而抵达半导体表面,而不消失。在螺位错的传播过程中,其还延伸到InGaN有源层中,并成为非辐射复合中心,于是降低发光效率。据报道,包括...
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