技术编号：6916474
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子，涉及一种对密封装多片式微通道热沉冷却激光二极管阵列及制备方法的改进。背景技术高功率半导体激光器阵列以其广阔的应用前景和巨大的潜在市场而成为各国竞相追逐的热点，目前高功率半导体激光器阵列所面临的主要问题是其低的性能价格比，即激光器的性能低(功率、效率、可靠性和稳定性、一致性等)，而激光器的制作成本(即售价)却很高，这在很大程度上限制了其实际应用。激光器的性能除跟外延材料有关以外，还跟激光器的热耗散有关，由于转换效率等因素，发光器件的集...
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