技术编号:6917063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及微电子,尤其是涉及一种低栅电容VDMOS功率器件。 背景技术现有的功率器件VDMOS是一种栅极电压控制,多子参入导电的器件,他具有驱动电路简单,开关速度快,易于集成等优点。VDMOS的栅电极的面积占据其总面积的一半以上, 为了减少VDMOS的驱动功率,需要减少VDMOS的栅区电容。传统的VDMOS的栅电容是多晶硅和器件的表面形成的电容,中间的介质层是栅氧,栅氧化层很薄,栅电容较大。发明内容本实用新型目的是提供一种低栅电容VDMOS功率器件。以...
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