技术编号:6917407
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属集成电路工艺,具体涉及一种可消除硅锥现象影响的双硬掩膜CMP工艺。实践中,‘鸟嘴’的尺寸很难减少到0.1μm以下。因此,当微电子工艺的特征尺寸减小到0.35μm,场氧化工艺逐渐被浅槽隔离技术(STI)工艺所代替。用硬掩膜的保护有源区,将场区刻槽,再用CVD的方法在槽中形成隔离介质,如图2所示STI工艺的优点是明显的,可以最有效的利用有源区的线宽,提高集程度。结合化学机械抛光工艺的STI技术可以做到极高的表面平坦化,增加后道布线的层数。但是,STI工...
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