技术编号:6917703
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一、所属领域本发明属于半导体绝缘栅场效应器件的器件结构、版图设计和制造以及超大规模集成电路工艺研究领域,进一步涉及一种采用硅化物全自对准制备槽栅绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计及制备工艺。本发明在设计中,利用MOS器件衬底接地同时实现IGBT多重沟道短路的结构,这种结构能有效地消除IGBT器件的闩锁效应。为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计及制备工艺,其特征在于包括以下步骤1)选取n型单晶硅作为基底...
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