技术编号:6918433
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造技术,且特别涉及一种。传统的LPCVD氮化硅层通常都是以SiH2Cl2与NH3为反应物沉积而成,所需的温度约在700℃到800℃左右。而目前有一种使用Si2Cl6为主反应物的沉积LPCVD氮化硅,则可将沉积温度降到650℃以下。此种低温的沉积方式可降低热预算,因此非常适合在动态随机存取内存(DRAM)的制作上。然而,此种低温沉积的LPCVD氮化硅具有湿蚀刻速率太快的缺点,举例而言,以0.25%氢氟酸溶液蚀刻625℃下沉积的LPCVD...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。