技术编号:6918455
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器(以下称MRAM),尤其涉及一种MRAM,它具有比SRAM(静态随机存取存储器)更快的存取时间、与DRAM(动态随机存取存储器)相似的高密度和类似快闪存储器的非易失性。背景技术 作为下一代存储器中的一种,有一些半导体存储器制造厂商已经提出了利用铁磁材料的MRAM。MRAM是一种凭借形成多层铁磁薄膜并检测取决于各层薄膜的磁化方向的电流变化来读取和写入信息的存储器。MRAM器件具有高速度和低功耗,并且它因磁性...
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