技术编号：6919907
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是一种。附图说明图1B所示的步骡是实施微影与蚀刻工艺，移除部分的遮蔽层108、垫层107与半导体基底100，在主动区110形成第一深沟槽112，并在外围电路区120形成第二深沟槽114。如图所示，形成于外围电路区120中的第二深沟槽114的数量少于主动区110中的第一深沟槽112的数量，亦即，外围电路区120中的第二深沟114的密度小于主动区110中的第一深沟槽112的密度。接着，实施一蚀刻工艺去除遮蔽层108，露出垫层1...
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