技术编号:6920184
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具备SRAM(静态随机存取存储器)型的存储单元的半导体存储器,特别是涉及谋求提高了抗软错误的性能的半导体存储器。背景技术近年来,在实现电子装置的轻薄短小的同时,强烈地要求高速地实现这些装置的功能。在这些电子装置中,现在安装微型计算机是不可缺少的,在该微型计算机的结构中,必须安装大容量且高速的存储器。此外,在个人计算机的快速的普及和高性能化的基础上,为了实现更高速的处理,要求高速缓冲存储器(cache memory)的大容量化。作为RAM,一般使用...
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