技术编号:6921010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物半导体发光器件以及形成氮化物半导体发 光器件的方法。背景技术在非专利文献l中,公开了InGaN基发光二极管。该发光二极管形 成在通过横向过生长形成的a面GaN模板上。发光二极管的有源层具有 包括In。.nGa。.83N阱层(4nm) /Si掺杂GaN势垒层(16nm)的5周期多量 子阱结构。根据在250mA的电流下测量晶片状态时的特性,发光二极 管具有413.5nm的发光波长、1.5mW的光输出以及0.2%的外量子效率。在专利文献l中,...
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