技术编号:6921045
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造复合材料晶片、具体地说是绝缘体上硅(SOI silicon on insulator)型的晶片的方法,该方法包括以下步骤a)提 供初始施主衬底(donor substrate), b)在所述初始施主衬底之上形成 绝缘层,c)在所述初始施主衬底中形成预定分裂区(splitting area),d) 将所述初始施主衬底粘贴到操作衬底(handle substrate)上,以及e) 在所述预定分裂区处剥离所述施主衬底,由此将所述初始施主衬底的 ...
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