技术编号：6921075
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管 及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法图2显示了在氧化物层18上进行脱耦等离子体氮化 (DPN)以在氧化物层18上形成富氮氧化物层20之后的半导体器件 10。该富氮氧化物层优选很薄，不大于10埃，充分均匀以完全覆盖 氧化物层18，以及具有不大于IO原子百分比的氮浓度。DPN能够在 获得小于10埃的厚度的同时获得这种均匀性。而且典型的氮化物沉 积工艺无法形成这样的薄层或者具有氮的期望低浓度。甚至已经发 现，对于氮化物，原子层...
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