技术编号:6921313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。0001本发明一般涉及纳米管装置领域,更具体地,涉及多指栅 (multifmger)碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。背景技术0002理论上,许多单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNTFET)被预 测具有接近太赫兹(THz)范围的本征截止频率,其中本征指的是,与 调整电导率所需的栅极-源极电容相比,边缘场产生的寄生电容可以忽 略。然而,在实际应用中,此寄生电容常常占有大部分CNTFET的几 何结构。0003当制造一个单独CNTFET时,有益的是能够测量其全...
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