技术编号：6921467
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及与缓冲层相关的异质结构的领域，该异质结构能够在另一不同材料上获得特定的应变材料。这样的异质结构的示例为Si(1.x)Ge w结构(x根据所需的应变度可从20%到100%变化)，该Si(1.x)Ge(x) 结构包括通过外延附生形成在硅基底上的松散Si (i.x) Ge (x)缓冲层。当通 过外延附生形成Siq.^Gew层时，硅基底与随后的SiGe层之间的晶格 失配导致在SiGe缓冲层的表面出现称作"交叉影线"(cross-hatch)的应 变晶格。...
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