技术编号:6921904
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有施加到晶体管沟道的应力的。背景技术这些年来,半导体集成电路在集成度、高速以及能耗方面己经达到了 较高水平,并且已经对改善晶体管的质量方面提出了更多要求。增强晶体 管的能力存在许多方法。具体而言,在半导体器件的表面上层叠受应力薄 膜的情况下通过在半导体器件上施加适当的应力而提高载流子的迁移率的方法已经广泛使用,因为其在100nm或更短的栅极长度的晶体管中没有副 作用(例如,参考JP-A-2002-198368, JP-A-2005-57301,...
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