技术编号:6922402
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体器件制造过程中利用掩模蚀刻蚀刻层。更具体地,本发明涉及在半导体器件制造过程中通过硬掩4莫蚀 刻高纵一黄比特征。背景技术在半导体晶片处理期间,通过图案化的4备才莫限定该半导 体器件的特征。为了纟是高密度,则要降低特征尺寸。这可通过减小特征 的关4定尺寸(CD)来实现,这需要纟是高的分辨率。在蚀刻层中形成高纵横比特征时,硬掩才莫层可利用石更掩 ^t层上方的纟奄^t形成在蚀刻层上方。另外,多层抗蚀剂广泛用于高 性能ULSI器件的制造过程中。多层...
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