技术编号:6922733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物系薄膜的形成方法,以及使用该形成方法形成的薄膜。进而,本发明还涉及具有该薄J^的发光元件、太阳能电池、TFT、除 此之外还有包括普通的半导体装置以及平板显示装置等在内的电子装置。背景技术以往,为了制造半导体发光元件,在J41上形成有化合物系半导体薄 膜。由于对半导体发光元件的发光波长的短波长化的要求,就这样的薄膜 而言,也要求以良好的结晶性、高品质地形成带隙能量大的材料。进而, 在显示元件、显示装置、太阳能电池、半导体发光装置中,使用了透明...
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