技术编号：6922741
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体装置，且更特定来说涉及可变电阻存储器元件及形成 所述可变电阻存储器元件的方法。背景技术非易失性存储器因其在无供电的情况下维持数据的能力而成为有用的存储装置。 用于非易失性存储器单元中的一类可变电阻材料是相变材料，例如硫族化物合金，其 能够稳定地在无定形与晶形相位之间转变。每一相位呈现特定的电阻状态且所述电阻 状态区分用此类材料形成的存储器元件的逻辑值。具体来说，无定形状态呈现相对高 的电阻，且晶形状态呈现相对低的电阻。实施为相变存储...
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