技术编号：6922785
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上是关于集成电路的领域，且尤关于根据晶体管上方所形成的受应力 的介电层的场效应晶体管制造，例如用于在不同晶体管类型的沟道区域中产生不同类型的 应变(strain)的受应力的接触蚀刻停止层(contact etch stop layer)。背景技术集成电路通常包括按照特定的电路布局(circuit layout)而位于给定的芯 片(chip)面积上的大量的电路组件，其中，于复杂电路中，场效应晶体管代表一个主 要的电路组件。一般而言，目前实施的有多种...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。