技术编号:6922806
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及具有使用低熔点金属来对由高熔点金属构成的导体膜的彼此之间进行接合的结构的。背景技术作为本发明所感兴趣的电子零部件的制造方法,具备图7所示的工序。在图7中,示出了将电子零部件装置所包括的第一构件1和第二构件2相互接合的工序,这种工序在例如日本专利特开2002-110726号公报(专利文献I)中已有记载。在专利文献l中所记载的实施方式中,图7中所示的第一构件1是例如半导体芯片,第二构件2是例如用于装载半导体芯片的基板。在将第一构件1和第二构...
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