技术编号:6922808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气SACVD方法本申请要求根据35USC 119(e)的规定以2007年6月15日提交的发明名称为“在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气SACVD方法”(OxygenSACVD To Form Sacrifical Oxide Liners In Substrate Gaps)的美国暂时申请No. 60/944,303为其优先权,其全文内容在此引入以供参考。背景技术随着半导体集成电路芯片的组件密度和功能性持续增加,需要新的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。