技术编号：6923187
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体装置的配线形成工序等中研磨所使用的。背景技术近年来，随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化、高性能化，开发出新的微细加工技术。化学机械研磨(以下记作CMP)法就是其中之一。其为在LSI制造工序特别是在多层配线形成工艺中，层间绝缘膜的平坦化、金属插塞的形成、埋入式配线形成中频繁利用的技术。该技术公开于例如美国专利第4944836号的说明书中。另外，最近，为了使LSI高性能化，尝试利用铜和铜合金作为构成配线材料的导电性物质。但是，铜或...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。