技术编号：6923440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体上涉及半导体器件，更具体而言，涉及具有存储单元的半导体器件。背景技术动态随机存取存储器(DRAM)是通常被布置成存储单元的阵列(即行和列)的易失性存储器件，其中每个存储单元表示二进制数字(位)。期望的是使存储单元的尺寸最小化以实现高的位密度并减小器件的尺寸和成本。有时，DRAM存储单元技术的特征在于存储单元采用的晶体管的数目。例如，1T存储单元是仅包括单个晶体管的DRAM存储单元。期望减少存储单元中的晶体管的数目以使存储单元的尺寸最小化。 对于先...
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