技术编号：6923476
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏装置。更具体地说，本发明涉及基于III-V族化合物的光伏装置 和制造基于III-V族化合物基光伏装置中的外延层剥离(印itaxial lift-off)方法。 背景技术目前，基于III-V族化合物的光伏装置在基底上外延地生长，并在整个制造和配 置过程中作为太阳能电池保持固定在基底上。在许多情况下，基底可以是大约150iim厚。 使得基底具有这样厚度可能对太阳能电池造成许多不良后果。 这样的不良后果之一是重量。厚基底可以占到所产生的太阳能电池...
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