技术编号：6923507
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及节能电子电路。具体地，涉及具有包含高k的栅极电介质和包含金属的栅极的电路结构。本发明也涉及适于低功率操作的调整阈值电压的方法。 背景技术当今集成电路包括巨大数量的器件。更小的器件和縮小的基本规则是提高性能和 减少成本的关键。随着FET(场效应晶体管)器件的縮小，技术变得更加复杂，且需要器件 结构的改变和新的制造方法来保持从器件的一代到下一代所期望的性能改善。微电子的支 柱材料是硅(Si)，或更宽泛地，Si基材料。尤其一种重要的微电子Si基材料是硅...
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