技术编号:6923572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路栅极介电层的制造方法,特别是涉及。现有超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造流程,是在硅基材上以O2或N2O进行热氧化工艺,以形成氧化硅(Silicon Nitride)或氮氧化硅(Silicon Oxynitride)的界面氧化层,接下来以快速热化学气相沉积(RapidThermal Chemical Vapor Deposition;RTCVD)或远程等离子体增强化学气相沉积(Remote Plasma-enhanced Chemic...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。