技术编号:6923575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路的金属内连线及其制造方法。但是,铜金属无法以乾蚀刻的方式来定义图案,因为铜金属与氯气电浆气体反应生成的氯化铜(CuCl2)的沸点极高(约1500℃),因此铜导线的制作需以镶嵌制程来进行。而双镶嵌制程系指形成铜导线的沟槽(trench)和其下方的介层窗开口(via)后,同时于其中填入铜金属。参阅附图说明图1~图3,显示传统上形成双镶嵌(dual damascene)的内连线结构的制程剖面图。参阅图1,在一半导体基板100上依序有一下层金属线...
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