技术编号:6923952
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体的制造工艺,尤其是一种制作嵌入式存储器(embedded memory)的接触插塞(contact plug)的方法。请参考附图说明图1至图8,图1至图8为习知于一半导体晶片10上制作一嵌入式存储器的转接介层与带接触的方法示意图。如图1所示,半导体晶片10的硅基底16表面已定义有一存储阵列区12以及一周边电路区14,且存储阵列区12中包含有至少一单胞井(cell-well)18,而周边电路区14中包含有至少一N型井(N-well)20以及至...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。