技术编号:6923996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实施方案涉及。背景技术III-V族氮化物半导体已经广泛用于光学器件例如蓝色和绿色发光二极管 (LED)、高速开关器件例如M0SFET (金属半导体场效应晶体管)和HEMT (异质结场效应晶体 管)以及照明装置或显示装置的光源。 氮化物半导体主要用于LED (发光二极管)或LD (激光二极管),已对其持续进行 研究以改善氮化物半导体的制造工艺或发光效率。发明内容 技术问题 实施方案提供一种能够利用多重反射层来改善外部量子效率的半导体发光器件 及其制造方法。 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。