技术编号:6924081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于离子植入,且更特定而言,有关于用于硅绝缘体的植入 (silicon-on-insulator implant)的单晶圆束线离子植入机(single waferbeamline ion implanter)0背景技术离子植入是用于向半导体晶圆内引入多种改变电导率用的杂质的标准技术。所期 望的杂质材料在离子源中被电离,离子经加速以形成指定能量的离子束,且离子束对准晶 圆表面。射束中的高能离子穿入到半导体材料的块体内并嵌入于半导体材料的晶格内以形 成...
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