技术编号:6924275
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件过程中通过掩模蚀刻蚀刻层。更具体地,本发明涉及 制造半导体器件过程中通过线距图案化掩模蚀刻电介质层。背景技术在半导体晶片处理过程中,使用公知的图案化和蚀刻工艺在晶片中形成半导体器 件的特征。在这些(光刻)工艺中,光刻胶(PR)材料沉积在晶片上,然后暴露于经过中间 掩模过滤的光线。中间掩模通常是图案化有模板特征几何结构的玻璃板,该几何结构阻止 光传播透过中间掩模。通过中间掩模后,光线接触光刻胶材料的表面。光线改变光刻胶材料的化学成分 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。