技术编号:6924521
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过使用SOI基片形成的SOI结构的半导体装置,所述SOI基片 具有借助二氧化硅膜而布置在作为支撑基片的硅基片表面上的SOI层(活性层),并涉及一 种制造所述装置的方法。背景技术例如,日本专利No. 3484961,日本专利申请No. H2-260428和日本专利No. 2908150 作为传统技术公开了在SOI结构或者SOI结构的半导体装置内用于吸附(gettering)重金 属杂质的技术,重金属杂质是由于基片或者工艺导致。日本专利No. ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。